国家知识产权局日前公布了“第十八届中国专利奖”评审结果。徐州开发区中能硅业科技发展有限公司的发明专利《GCL法多晶硅生产方法》获得中国专利优秀奖。
据了解，10年来，中能硅业立足自主研发，持续增加研发投入力度和对自主知识产权的保护力度，依靠技术创新，对国际通用的西门子法进行深度突破、集成再造，研发了具有自主知识产权的“GCL”新工艺，告别了西方同行一统天下的历史，实现了光伏原材料的完全自主制造。此种技术能够高效地利用三氯氢硅，生产耗电较少，此次获得中国专利优秀奖，是对中能硅业持续创新和重视知识产权的肯定，也意味着公司的技术创新和知识产权管理工作迈上了新的台阶。
