国际能源网获悉,企查查显示,横店东磁公布一项专利,专利名为“TOPCon太阳能电池及其制备方法和应用”,申请公布号为CN118099270A,申请公布日期为2024年5月28日。
专利摘要显示,本发明涉及TOPCon太阳能电池及其制备方法和应用。该制备方法包括:采用VHF‑PECVD依次沉积隧穿氧化层和掺杂微晶硅层,再进行退火处理;退火处理步骤中,在真空条件下将T1以5℃/min‑10℃/min升至T2,再以10℃/min‑15℃/min升至T3,并于T3温度下推进,然后降温,得到隧穿氧化层钝化接触结构,T1为150℃‑250℃,T2为300℃‑500℃,T3为600℃‑800℃,150≤T2‑T1≤250,250≤T3‑T2≤400。该制备方法使隧穿氧化层中针孔结构具有合适的密度和孔径,使隧穿氧化层钝化接触结构保持钝化效果同时,具有优异的防漏电性能,提高TOPCon电池的转换效率。