国际能源网获悉，企查查显示，天合光能申请一项专利，专利名为“隧穿钝化结构及其制备方法、光伏电池”，公开号CN118053936A，申请公布日期为2024年5月17日。
专利摘要显示，本发明提供了一种隧穿钝化结构及其制备方法、光伏电池，包括衬底；依次设置在所述衬底的背光面上的隧穿层和第一掺杂多晶硅层，其中，所述第一掺杂多晶硅层掺杂有主元素和辅助元素，所述辅助元素用于减小对入射光线的吸收能力。这样，通过在第一掺杂多晶硅层同时掺杂主元素和辅助元素，使得第一掺杂多晶硅层的带隙增大，进而减小了对入射光线的吸收能力，使得第一掺杂多晶硅层的短路电流增大，进而提高TOPCon光电转换效率。
参考资料来源：企查查
