国际能源网获悉，企查查显示，天合光能申请一项专利，专利名为“钝化接触结构及其制备方法、太阳能电池”，公开号CN118053917A，申请公布日期为2024年5月17日。
专利摘要显示，本申请涉及一种钝化接触结构及其制备方法、太阳能电池。钝化接触结构包括富硅氧化硅层、富氧氧化硅层以及多晶硅层，多晶硅层至少包括第一多晶硅层，所述第一多晶硅层设置在所述富硅氧化硅层和富氧氧化硅层之间。富氧氧化硅层中较大的含氧量，可以有效避免钝化层结晶，提升太阳能电池的钝化效果，从而在保持太阳能电池的钝化性能不变的基础上，能够减小多晶硅层的厚度，进而减小寄生吸收，提高太阳能电池的电流。富硅氧化硅层能够阻碍作为电极的银晶体的进一步刻蚀。同时，第一多晶硅层位于富氧氧化硅层和富硅氧化硅层之间，用于减少富氧氧化硅层和富硅氧化硅层的接触电阻，提高电子的流通能力。
参考资料来源：企查查
