杨德仁教授长期从事超大规模集成电路用硅单晶材料、太阳能光伏硅材料、硅基光电子材料及器件、纳米硅及纳米半导体材料等研究工作。提出了掺氮控制极大规模集成电路用直拉硅单晶微缺陷的思路，系统解决了氮关缺陷的基础科学问题，促进了其在国际上的广泛应用;提出了微量掺锗控制晶格畸变的思路，发明了微量掺锗硅晶体生长系列技术，系统解决了相关硅晶体的基础科学问题，实现了实际应用;研究了纳米硅等的制备、结构和性能，成功制备出纳米硅管等新型纳米半导体材料，为其器件研究和应用提供了材料基础。发表SCI论文680余篇，参编英文著作5部，授权国家发明专利130余项。
杨德仁，男，汉族，1964年4月出生，江苏扬州人，1983年11月加入中国共产党，1991年6月参加工作，浙江大学半导体材料专业毕业，研究生学历，博士。现为浙江大学材料科学与工程学院教授，浙江大学硅材料国家重点实验室主任，博士生导师。2017年当选为中国科学院院士。
1981年9月至1991年6月为浙江大学材料科学与工程学院(系)本科、硕士和博士研究生。1993年浙江大学材料科学与工程博士后流动站出站，晋升副教授，其间在日本东北大学金属材料研究所访问研究。1995年初赴德国FREIBERG工业大学工作，1997年5月被浙江大学特批晋升教授，1998年初回国在浙江大学工作。
2000年受聘教育部长江学者奖励计划特聘教授，2002年获国家杰出青年科学基金，2011年获评浙江省特级专家，2007年和2013年担任两期“硅基光电子发光材料与器件”领域的973项目首席科学家，2017年获国家自然科学基金委创新研究群体项目。2008年至今兼任国家重大科技专项(02)专家组成员。
1998年起，先后任硅材料国家重点实验室副主任、主任;2003年起，先后兼任半导体材料研究所副所长、所长。
作为第一完成人，曾获国家自然科学奖二等奖2项、省部级科技一等奖4项。获全国五一劳动奖章，中国青年科技奖，全国优秀科技工作者，浙江省“十大时代先锋”等荣誉。
