1范围
本标准规定了太阳能级硅多晶的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则以及包装、标志、运输及贮存。
2 规范性引用文件
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。
GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T 1552 硅、锗单晶电阻率测试 直排四探针法
GB/T 1553 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
GB/T 4059 硅多晶气氛区熔磷检验法
GB/T 4060 硅多晶真空区熔基硼检验法
GB/T 1558 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
GB/T 1558 测定硅晶体中代位碳含量红外吸收方法
GB/T ××××-200× 硅多晶中基体金属杂质化学分析 电感耦合等离子体质谱法
GB/T 14264 半导体材料术语
ASTM F1389-00 光致荧光光谱测单晶硅中Ⅲ-Ⅴ族杂质
ASTM F1724-01 利用原子吸收光谱测量多晶硅表面金属杂质
3 要求
3.1 分类
产品按外型分为块状、粒状、粉状和棒状多晶硅，根据纯度的差别分为3级。
3.2 牌号
硅多晶牌号表示为：SOGPSi—1□—2□
SOGPSi表示太阳能级硅多晶
1□字母I表示棒状，N表示块状、G表示粒状、P表示粉状
2□阿拉伯数字表示硅多晶等
3.3 技术要求
3.3.1 棒状、块状硅
太阳能级棒状、块状多晶硅的纯度及相关技术要求应符合表1的规定。
表1
项目
太阳能级硅多晶等级
1级品
2级品
3级品
N型电阻率，Ω·cm
≥50
≥15
≥10
P型电阻率，Ω·cm
≥500
≥10
≥10
氧浓度，at/cm3
≤1.0×1017
≤1.0×1017
≤1.0×1017
碳浓度，at/cm3
≤2.5×1016
≤5.0×1016
≤5.0×1016
