国际能源网获悉，企查查显示，晶科能源申请一项名为“四结晶硅太阳能电池与光伏组件”的专利，申请公布号CN118198168A，申请公布日期为2024年6月14日。
专利摘要显示，本申请涉及光伏技术领域，尤其涉及一种四结晶硅太阳能电池与光伏组件，包括晶硅基底，晶硅基底的正面设有电极区域，电极区域依次层叠设置有第一扩散层、第一隧穿介质层和第一掺杂层，背面依次层叠设置有第二扩散层、第二隧穿介质层和第二掺杂层；第一掺杂层与第一扩散层形成电子高低结，第一扩散层与晶硅基底形成同向结，晶硅基底与第二扩散层形成异向结，第二扩散层与第二掺杂层形成空穴高低结。本申请通过电子高低结和空穴高低结的设置，提高了势垒高度，较高的势垒高度可以有效减少空穴从P型区域移动至N型区域，减少电子与空穴的界面复合损失，促进光生载流子的分离，即提高了四结晶硅太阳能电池的开路电压的同时，电子传输、收集的效率高。
资料来源：企查查
