近年来，光伏产业快速发展，技术驱动降本增效，异质结电池的理论电池效率为27.5%，能够与其他技术路线的电池进行有效叠加，异质结叠加钙钛矿技术后理论效率可达42.5%，量产效率可达30%，未来提效空间巨大。
光伏行业，几乎每隔2-3年，就会有一次技术迭代，而电池转换效率是最关键的指标。
随着PERC的效率挖掘逐步接近24.5%的效率极限，异质结电池被视为下一代光伏电池的革命性技术，其效率更高，工艺更简单，能耗更低，长期来看代表未来电池技术的发展方向。
异质结电池制备，主要涉及四大设备，分别是清洗制绒设备、PECVD 设备、PVD/RPD 设备、丝网印刷设备。在设备投资额，占比分别约 15%、50%、20%和 15%。
目前，国产设备厂商已快速崛起，纷纷布局 PECVD 等核心设备，将成为行业突破口。
异质结电池的降本路径，主要包括以下路线。首先，目前传统电池使用的硅片厚度在170-175微米，异质结电池厚度在150-160微米，未来，其所用硅片厚度有望进一步降低至120-130微米，硅片每减薄5微米，单片价格下降约5分钱，可实现大幅降本。其次，异质结非硅材料成本中，银浆和靶材成本占比达到70%，通过加速国产化，能够有效降低耗材成本。另外，提升设备单位时间的产能，降低单瓦设备投资。国内迈为股份、捷佳伟创、理想新能源等厂家异质结1GW设备投资从15亿元下降至近期的4.5亿元，未来还有望进一步降低。
梳理一下异质结电池设备供应商，主要有：
1.迈为股份：光伏丝印设备龙头，异质结设备先行者
2.捷佳伟创：光伏电池片设备龙头，异质结设备拓展可期
3. 金辰股份：光伏异质结电池设备新星，组件设备龙头将二次腾飞
4. 上机数控：异质结 N 型硅片未来龙头，薄片化切片机龙头！
5. 理想万里晖：深耕 PECVD 设备领域多年，研发转换效率超 25%
6. 钧石能源：HDT 产能超 1GW，与山煤国际战略合作。
重点看3只。
一、迈为股份
迈为股份的光伏电池丝网印刷生产线成套设备实力雄厚。
它依托印刷、 激光和真空三方面的技术研发，瞄准光伏装备、OLED 面板设备等市场，形成多层次立体化的业务布局。
其中，丝网印刷设备系公司的主导产品，经过多年的技术积累拥有显著的竞争优势，市场占有率稳居首位。
公司具备提供异质结整线解决方案的能力，目前公司自主研发PECVD设备、PVD设备、丝网印刷设备。
公司具备提供异质结整线解决方案的能力，且有异质结整线设备中标订单公布，公司的异质结设备具备实际订单验证。
二、捷佳伟创
捷佳伟创，是国内领先的晶体硅太阳能电池设备研发、生产和销售的国家高新技术企业。
主要产品包括PECVD及扩散炉等半导体掺杂沉积工艺光伏设备、清洗、刻蚀、制绒等湿法工艺光伏设备以及自动化（配套）设备、全自动丝网印刷设备等晶体硅太阳能电池生产工艺流程中的主要及配套设备的研发、制造和销售。
公司在高效异质结环节，包括RPD和PECVD在内已具备电池设备整线交付能力。
尤其是公司自主研发的RPD设备能够在常规异质结的基础上为高效异质结带来保守0.6%以上的效率增益，在不高于常规异质结运营成本的前提下，成为高效及超高效异质结大规模产业化的技术制高点和降本关键。
捷佳伟创是行业内率先布局异质结及钙钛矿电池核心设备的厂商，成为全球第一家完成全线四道工序完全自主开发的整体异质结电池解决方案设备提供商。
三、金辰股份
金辰股份，专业从事高端智能装备的研发设计、制造和销售，凭借自身在自动化集成、图像识别与视觉检测、工业软件、数据管理等方面掌握的核心技术，面向光伏高效电池及高效组件制造、智慧港口等领域提供智能制造解决方案。
公司作为全球光伏组件设备龙头企业，不仅具备高效光伏组件生产线整线交钥匙工程能力，并积极布局下一代新型组件封装技术，不断巩固行业优势地位。
2020年公司积极开展光伏异质结和TOPCon高效电池核心生产设备PECVD的研发和市场拓展，该类设备有望成为公司未来的核心产品，成为公司新的业绩增长点。
凭借产品技术优势及对下游应用的深刻理解，公司已覆盖国内隆基乐叶通威晶科晶澳东方日升协鑫等核心大客户。
晶体硅异质结太阳电池（HJT）是在晶体硅上沉积非晶硅薄膜，它综合了晶体硅电池 与薄膜电池的优势，具有转换效率高、工艺温度低、稳定性高、衰减率低、双面发 电等优点，技术具有颠覆性。优缺点对比：对比 PERC 电池，HJT 潜力巨大，将成为第三代电池片技术主流。据我们综合测算， HJT 在 25 年全生命周期综合发电量较 PERC 高 15%-20%。转换效率更优：HJT 效率潜力超 28%，远高 PERC 电池。受 P 型单晶电池自身材 料的限制，PERC 电池转换效率已接近天花板，而 HJT 最高转换效率已超 26%（日 本 Kaneka 曾创 26.63%，国内最高为汉能的 25.1%），长期有望超 28%，效率优 势明显。2.工艺流程更简化，降本空间更大：HJT 为低温工艺，在硅片成本（利于薄片化 和减少热损伤）和非硅成本（燃料能源节约）上均更优。同时，HJT 只需4 道 工艺，相比 PERC（8 道工艺）和 TOPCon（9-12 道工艺）成本更低。3.光致衰减更低：HJT 电池 10 年衰减率小于 3%，25 年发电量下降仅为 8%，衰减 速度远低于 PERC 及 TOPCon 电池。4.低温系数、稳定性高：在 82 摄氏度环境下，HJT 光电转换效率比传统组件高出 13%。5.双面率更高：HJT 为双面对称结构，双面率有望提升至 93-98%（PERC 和 TOPCon 均在 80%附近，但很难再提升），可获得 10%以上的年发电量增益。
