7月15日，碳化硅衬底研发制造企业同光晶体获数亿元Pre-IPO轮融资，红马资本参与，其他投资方包括上市公司汇川技术，以及中信产业基金、南京南创、上海联新、上海军民融合产业基金等机构。
同光晶体专业从事第三代半导体碳化硅单晶片的研发和制备，是国内率先从事第三代半导体产业的企业之一。公司攻克了从原料合成、单晶生长、衬底加工，到品质检测等关键技术，形成关键装备自有、核心技术自主的完整技术体系，产品经检测鉴定各项技术指标已达国际先进水平。
目前同光晶体已建成具有国内领先水平的碳化硅单晶片生产线，产能爬坡迅速，获得多家行业标杆客户的订单。公司计划于未来一年内申报科创板上市，为中国第三代半导体产业提供可靠的基础材料。
同光晶体成立于2012年5月，依托于中科院半导体所，是国内率先实现量产第三代半导体材料SiC单晶衬底的高科技企业。公司目前的产品包括4英寸、6英寸高纯半绝缘型以及导电型碳化硅单晶衬底材料。
以SiC和GaN为代表的第三代半导体材料，又因其禁带宽度大于2.2 eV而被称为宽禁带半导体。宽禁带的结构决定了第三代半导体材料在高温、高频、高功率的工作环境下将拥有更加优异的性能，同时兼具这些性能特点让第三代半导体材料不仅能在以传统硅基半导体为主导的存量市场会有更出色的表现，同时在一些如新能源汽车、高压快充等新兴起的领域将成为下游应用厂家无可替代的选择。
同光晶体的SiC衬底主要应用在功率半导体与射频半导体领域，其中由导电型碳化硅衬底制成的功率半导体器件主要应用于电子电气领域中新能源汽车、光伏发电等方面，而由半绝缘型衬底制成的射频半导体器件将应用于5G通讯、卫星、雷达等领域。
目前，同光晶体的产品已供应至国内主要下游应用方，同时公司正与来自德国、日本的工业巨头进行产品验证、需求对接方面的合作。
同光晶体在2019年完成保定园区扩产，2020年实现从研发到量产的转化，产值达数亿元，且今后每年仍能保持较高增速。
此前，同光晶体董事长兼总经理郑清表示，目前公司已完成自主搭建200台单晶生长炉，同时为满足功率半导体器件需求，本年计划陆续投产600台生长炉，在2022年4月预计产能将达到10万片。
