（ａ）把粗制硅与硅酸钙在１５４４℃以上的温度下熔融混合，使硅中的硼迁移到熔渣中；
（ｂ）在惰性气体气氛中静置工序（ａ）所得的混合液，使下层的熔渣层与上层的熔融硅层分离，然后把温度设定到１４１０℃～１５４４℃之间，使熔渣凝固的同时把硅保持在熔融状态；
（ｃ）在惰性气体气氛下，把冷却体２浸渍到工序（ｂ）所得的熔融硅中，使高纯化的硅在冷却体外表面结晶析出粘附，然后从熔融硅中拉制该冷却体２并把结晶的高纯度硅块Ｓ从冷却体２拆下；
（ｄ）再熔融工序（ｃ）所得的高纯度硅，然后真空处理熔融硅从而蒸发脱除高纯度硅中的磷。
