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SERIS研究人员推出新多晶硅织构技术

国际太阳能光伏网  来源:国际能源网  作者:刘鑫  日期:2018-03-27
  SERIS的一个科学家小组宣布开发了一种新的金刚石线切割多晶硅(multi-cSi)晶圆的工艺技术。该湿化学技术使晶圆表面具有纳米级特性,增加了光在表面多次反射并被晶片材料吸收的可能性。
 
  根据SERIS的说法,这项技术使用的是特有的化学物质,而且成本低,可扩展,并且可以很容易地集成到电池生产线中。
 
  
 
  几年前金刚石线锯的出现为光伏制造业削减了巨大的生产成本,但由于材质问题,该技术最初仅适用于单晶硅晶圆。
 
  目前有几种解决方案已经商业化,包括活性离子刻蚀的“黑硅”技术,金属催化化学刻蚀以及德国Schmid开发的DW Pretex工艺。尽管如此,SERIS相信它的新工艺为制造商带来进一步的好处,尤其是与黑硅工艺相比。
 
  “DWS 多晶硅晶圆表面常用的两种技术是活性离子刻蚀(RIE)和金属催化化学刻蚀(MCCE)。这两种技术的生产成本远高于传统的酸基技术,而MCCE则涉及使用金属颗粒,这就有可能将污染物引入生产线。”DWS晶圆技术的主要发明者Huang Ying说,“我们的技术更简单,更便宜,没有金属,可实现超过20%的电池转化效率。出于这些原因,我坚信我们的技术可以成为mc-Si太阳能电池制造商所使用的主流材质。”
 
  SERIS表示,其工艺技术已被多家一级制造商所认可,并计划与他们密切合作,将工艺技术应用到大型生产线。SERIS首席执行官Armin Aberle说:“我们相信SERIS开发的这项新技术将成为DWS mc-Si晶圆的主流技术。”(实习编译:刘鑫)
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